在大電流離子佈植期間冷卻晶圓的主要原因，下列何者正確？

正確答案：B. 為了防止離子束的能量使晶圓溫度上升，導致作為遮罩的光阻變質，或佈植狀態改變

大電流佈植時，例如數十keV × 數十mA，會有數百W～接近1 kW的離子束能量輸入晶圓，若不冷卻，溫度會上升到100 ℃以上。光阻若變形、變質，遮罩的尺寸會改變，也會變得難以去除。此外，損傷恢復的程度（容易非晶化的程度）會隨溫度而改變，因此以靜電吸盤冷卻晶圓來管理溫度。近年也有刻意在低溫下佈植以控制損傷性質的方法。

• A. 冷卻並不會使佈植深度變深。
• B. 正確。是為了防止溫度上升造成光阻變質等。
• C. 離子的質量不會因冷卻而改變。