En implantation basse énergie en mode décélération (transport à haute énergie puis décélération juste avant le wafer), quelle est la cause de la « contamination énergétique » à surveiller ?

Réponse : A. Des ions neutralisés avant la décélération ne sont pas ralentis et atteignent le wafer à haute énergie

En mode décélération, le faisceau est transporté à une énergie élevée de quelques dizaines de keV, puis décéléré juste avant le wafer pour implanter à quelques centaines d'eV à quelques keV. Comme un faisceau basse énergie s'étale facilement sous l'effet de la charge d'espace, c'est un moyen d'obtenir un courant élevé. Mais les particules neutralisées en chemin par collision avec le gaz résiduel ne sont pas ralenties par le champ électrique et arrivent à haute énergie, pénétrant plus profondément que prévu. Même quelques % suffisent à compromettre une jonction peu profonde ; on les élimine en améliorant le vide ou par des filtres de déviation.