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Implantation ionique

Quelle est la distribution généralement correcte des dommages cristallins créés par l'implantation ionique ?

  1. AIls sont concentrés uniquement en surface
  2. BIls sont concentrés sur la face arrière du wafer
  3. CIls sont nombreux autour de la profondeur d'arrêt des ions (parcours) et légèrement en deçà
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Réponse : C. Ils sont nombreux autour de la profondeur d'arrêt des ions (parcours) et légèrement en deçà

À grande vitesse, l'ion perd son énergie principalement par interaction avec les électrons (arrêt électronique) et déplace peu d'atomes. Lorsque sa vitesse baisse, les collisions avec les noyaux (arrêt nucléaire) dominent et déplacent les atomes en cascade. Les dommages cristallins sont donc maximaux autour du parcours d'arrêt et légèrement en deçà (environ 0,7 à 0,8 fois Rp). Juste sous la surface, les dommages sont relativement faibles, et le profil des dommages est légèrement moins profond que celui des impuretés.

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