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Implantation ionique

Quelle méthode a été couramment utilisée pour introduire des impuretés dans l'électrode de grille en polysilicium des MOSFET afin de réduire sa résistance ?

  1. AExposer la grille à la lumière
  2. BL'implantation ionique (souvent réalisée en même temps que celle de la source et du drain)
  3. CImmerger longuement la grille dans l'eau
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Réponse : B. L'implantation ionique (souvent réalisée en même temps que celle de la source et du drain)

La grille en polysilicium est rendue conductrice en y introduisant des impuretés à forte concentration, environ 10²⁰ cm⁻³ ou plus. Des impuretés de type n pour les nMOS et de type p pour les pMOS sont implantées, le plus souvent en même temps que la source et le drain (double grille), ce qui permet aussi de concevoir des tensions de seuil symétriques. Les impuretés introduites sont activées par recuit, mais si l'activation est insuffisante jusqu'à la base de la grille, une déplétion de grille apparaît.

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