Lors d'une implantation près du bord d'un masque, quelle est la cause correcte de l'extension latérale des impuretés sous le masque ?

Réponse : C. Les ions implantés sont aussi diffusés latéralement par les collisions avec les atomes (étalement latéral)

Les ions implantés s'arrêtent après une succession de collisions avec les atomes ; ils s'étalent donc non seulement en profondeur mais aussi latéralement, avec un écart-type comparable au ΔRp en profondeur (quelques nm à quelques dizaines de nm). Des impuretés pénètrent ainsi sous le bord du masque, ce qui influe sur le recouvrement (overlap) entre grille et source-drain et sur la longueur de canal effective. Pour les transistors miniaturisés, cet étalement latéral est aussi pris en compte par simulation lors de la conception.