Quelle implantation ionique est utilisée pour la séparation de couches du wafer (Smart Cut) ou le contrôle de la durée de vie dans les composants de puissance ?

Réponse : B. Implantation d'ions légers comme l'hydrogène ou l'hélium

L'implantation d'environ 5×10¹⁶ cm⁻² d'hydrogène crée à la profondeur d'implantation une rangée de micro-cavités, à partir desquelles un traitement thermique vers 400 à 500 °C permet de détacher une couche (Smart Cut). Par ailleurs, les défauts créés par implantation d'hydrogène ou d'hélium agissent comme centres de recombinaison ; ils servent à réduire la durée de vie des porteurs à une profondeur précise dans les IGBT et les diodes, afin d'accélérer l'extinction du courant de queue et le recouvrement inverse.