離子佈植 用於晶圓剝離（Smart Cut）或功率元件的載子生命週期控制等的離子佈植，下列何者正確？ A砷的高劑量佈植 B氫或氦等輕離子的佈植 C銻的低能量佈植 查看答案與解析 正確答案：B. 氫或氦等輕離子的佈植 若佈植約5×10¹⁶ cm⁻²的氫，在佈植的深度會形成排列的微小空洞，以400～500 ℃左右的熱處理便能由此處呈層狀剝離（Smart Cut）。此外，由氫或氦佈植產生的缺陷會作為復合中心，因此也用於僅在IGBT或二極體的特定深度縮短載子生命週期，以加快尾電流與逆向恢復。