Welches Beispiel für eine Anwendung der Hochenergie-Ionenimplantation bis zu mehreren MeV ist korrekt?

Antwort: B. Einbringen von Dotierstoffen in große Tiefe, z. B. bei Bildsensoren und Leistungsbauelementen

Mit Hochenergie-Ionenimplantation lassen sich Dotierstoffe in große Tiefen von einigen µm bis etwa 10 µm von der Oberfläche einbringen. Sie wird z. B. für tiefe Photodioden und die Pixeltrennung von CMOS-Bildsensoren, tiefe Schichten von Leistungsbauelementen (Säulen von Super-Junctions) und die Bildung retrograder Wannen eingesetzt. Um Energien von mehreren MeV zu erreichen, werden Linearbeschleuniger (LINAC), die mit Hochfrequenz in mehreren Stufen beschleunigen, oder Tandem-Typen mit negativen Ionen verwendet.