Ionenimplantation

Was ist der Hauptzweck, bei der Herstellung flacher p-Übergänge zusammen mit Bor Kohlenstoff o. Ä. zu implantieren (Co-Implantation)?

  1. AUm p-Typ in n-Typ umzuwandeln
  2. BUm den Wafer zum Leuchten zu bringen
  3. CUm die Diffusion von Bor zu unterdrücken und den Übergang flach zu halten
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Antwort: C. Um die Diffusion von Bor zu unterdrücken und den Übergang flach zu halten

Die Diffusion von Bor wird mithilfe von Silizium-Zwischengitteratomen beschleunigt (transient beschleunigte Diffusion). Wird Kohlenstoff mit etwa 10¹⁵ cm⁻² mitimplantiert, fängt er die Zwischengitteratome ein und verbraucht sie, sodass die Diffusion von Bor unterdrückt und der Übergang auch nach dem Ausheilen flach bleibt. Auch die Co-Implantation von Fluor oder Stickstoff wird mit ähnlichem Ziel genutzt. Da auch die Diffusion von Phosphor durch Kohlenstoff unterdrückt wird, wird Kohlenstoff mitunter auch Si:P im nMOS-Epi zugesetzt.

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