이온 주입

레이저 어닐링의 특징으로 올바른 것은 무엇인가?

  1. A웨이퍼 전체를 장시간 균일하게 가열한다
  2. B저온에서 천천히 가열한다
  3. C웨이퍼 표면 부근만 극히 짧은 시간 가열할 수 있어, 확산을 억제하면서 높은 활성화를 얻을 수 있다
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정답: C. 웨이퍼 표면 부근만 극히 짧은 시간 가열할 수 있어, 확산을 억제하면서 높은 활성화를 얻을 수 있다

레이저 어닐링에서는 레이저 광으로 표면 부근만 마이크로초~나노초 정도의 극히 짧은 시간에 1000 ℃ 이상(조건에 따라서는 융점 근처)으로 만듭니다. 불순물이 거의 확산되기 전에 높은 활성화를 얻을 수 있으므로 얕고 저저항인 접합을 만들 수 있습니다. 열이 깊이까지 닿지 않기 때문에, IGBT 이면 층의 형성이나 적층한 위층 트랜지스터의 형성 등 아래 층을 손상시키고 싶지 않은 공정에도 사용됩니다.

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