Procédés d'interconnexion

Quel film est couramment déposé sur la face supérieure des interconnexions en Cu pour servir à la fois de barrière de diffusion côté isolant et d'arrêt de gravure ?

  1. ARésine photosensible
  2. BPolysilicium
  3. CFilm de capping diélectrique tel que le SiCN
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Réponse : C. Film de capping diélectrique tel que le SiCN

Sur la face supérieure des interconnexions en Cu exposée par la CMP, on dépose un film de capping diélectrique en SiCN, SiN, etc. (épaisseur de quelques nm à quelques dizaines de nm), qui empêche la diffusion du Cu vers l'isolant supérieur et arrête la gravure des vias de la couche suivante. L'interface entre capping et interconnexion étant aussi le principal chemin d'électromigration, son adhérence détermine la fiabilité. Sa permittivité relative étant relativement élevée (environ 5), il doit être mince pour ne pas augmenter la capacité entre interconnexions.

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