Interconnectprocessen
Welke film wordt gewoonlijk op de bovenzijde van Cu-bedrading aangebracht om zowel diffusie naar de isolatiefilm te voorkomen als als etch-stop te dienen?
- AFotoresist
- BPolysilicium
- CDiëlektrische capfilm zoals SiCN
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Diëlektrische capfilm zoals SiCN
Op de bovenzijde van de door CMP blootgelegde Cu-bedrading wordt een diëlektrische capfilm van SiCN of SiN (dikte enkele nm tot enkele tientallen nm) aangebracht, die Cu-diffusie in de bovenliggende isolatiefilm voorkomt en het etsen van het via van de volgende laag stopt. Omdat het grensvlak tussen cap en bedrading ook de belangrijkste route voor elektromigratie is, bepaalt de hechting van dit grensvlak de betrouwbaarheid. De relatieve permittiviteit is met ongeveer 5 vrij hoog, dus de film moet dun zijn om de capaciteit tussen bedradingen niet te vergroten.