Interconnectprocessen

Welke film wordt gewoonlijk op de bovenzijde van Cu-bedrading aangebracht om zowel diffusie naar de isolatiefilm te voorkomen als als etch-stop te dienen?

  1. AFotoresist
  2. BPolysilicium
  3. CDiëlektrische capfilm zoals SiCN
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Diëlektrische capfilm zoals SiCN

Op de bovenzijde van de door CMP blootgelegde Cu-bedrading wordt een diëlektrische capfilm van SiCN of SiN (dikte enkele nm tot enkele tientallen nm) aangebracht, die Cu-diffusie in de bovenliggende isolatiefilm voorkomt en het etsen van het via van de volgende laag stopt. Omdat het grensvlak tussen cap en bedrading ook de belangrijkste route voor elektromigratie is, bepaalt de hechting van dit grensvlak de betrouwbaarheid. De relatieve permittiviteit is met ongeveer 5 vrij hoog, dus de film moet dun zijn om de capaciteit tussen bedradingen niet te vergroten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Bij elektromigratietests is een verschijnsel bekend waarbij de levensduur van bedrading korter dan een bepaalde lengte sterk toeneemt (de degradatie vordert nauwelijks). Hoe heet dit verschijnsel?
  2. Hoe heet de structuur waarin de bedradingsbreedte smaller is dan de kristalkorrels en korrelgrenzen dwars over de bedrading liggen, en wat is het effect op elektromigratie?
  3. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij hoogfrequente signalen in een bedrading de stroom zich nabij het oppervlak van de geleider concentreert en de effectieve weerstand toeneemt?
  4. Hoe heet het ontwerp waarbij actieve elementen en bedrading direct onder een elektrodepad voor onder meer wire bonding worden geplaatst?
  5. Welke techniek bestaat erin een film van een legering van Cu met een kleine hoeveelheid onder meer mangaan af te zetten en door warmtebehandeling vanzelf een dunne barrièrelaag aan het grensvlak met de isolatiefilm te laten vormen?