Quel problème faut-il surveiller lors de la gravure ou du décapage (ashing) des films low-k ?

Réponse : B. Le film est endommagé par le plasma, par exemple par perte de carbone, et sa permittivité augmente

Les films low-k de type SiOC abaissent leur permittivité grâce aux groupes Si-CH3 (méthyle), mais exposés notamment à un plasma d'oxygène, les groupes méthyle partent et deviennent Si-OH ; le film absorbe alors facilement l'humidité et sa permittivité peut passer de 3,0 à plus de 4. Dans les films poreux, les dommages se propagent en profondeur par les pores. Il faut donc des conditions d'ashing peu agressives, à base d'hydrogène par exemple, des traitements de restauration par agents de silylation et une déshydratation après usinage.