Quel est le principal objectif d'une barrière métallique en Ta, TaN, etc. dans les interconnexions en Cu ?

Réponse : B. Empêcher la diffusion du Cu dans l'isolant et le silicium

Le Cu diffuse facilement dans les isolants et le silicium ; dans le silicium, il crée des niveaux profonds qui provoquent des fuites et une dégradation des caractéristiques des transistors, et dans l'isolant, il dégrade l'isolation entre interconnexions. On entoure donc les flancs et le fond des interconnexions en Cu d'une barrière métallique Ta/TaN (quelques nm) et on recouvre le dessus d'un film de capping diélectrique pour empêcher la diffusion. La barrière métallique améliore aussi l'adhérence à l'isolant et contribue à orienter les cristaux de Cu.