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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle structure rapproche les nanofeuillets nMOS et pMOS en intercalant entre eux une fine paroi isolante, afin de réduire la surface des cellules ?

  1. AFD-SOI
  2. BMOSFET planaire
  3. CFET forksheet
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Réponse : C. FET forksheet

Le FET forksheet dispose les nanofeuillets nMOS et pMOS de part et d'autre d'une paroi diélectrique d'une quinzaine de nm d'épaisseur, en forme de dents de fourchette. Dans un GAA classique, un espacement de plusieurs dizaines de nm est nécessaire entre n et p ; la paroi permet de le réduire fortement et de diminuer la surface des cellules standard et de la SRAM. La grille n'entoure les feuillets que sur trois côtés, ce qui le distingue du GAA ; il est candidat pour la génération située entre le GAA et le CFET.

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