Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke structuur brengt de nMOS- en pMOS-nanosheets dichter bij elkaar met een dunne isolerende wand ertussen, waardoor de celoppervlakte kleiner wordt?

  1. AFD-SOI
  2. BPlanaire MOSFET
  3. CForksheet-FET
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Forksheet-FET

Een forksheet-FET is een structuur waarbij de nMOS- en pMOS-nanosheets aan weerszijden van een diëlektrische wand van circa tien nm dik zijn geplaatst, als de tanden van een vork. Bij gewone GAA is tussen n en p een afstand van enkele tientallen nm nodig, maar door de wand ertussen kan die sterk kleiner worden en kan de oppervlakte van standaardcellen en SRAM worden verkleind. Het verschil met GAA is dat de gate de sheet van drie kanten omsluit, en de forksheet is een kandidaat voor een generatie tussen GAA en CFET.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Hoe heet de toestand waarin het kanaal zo kort is geworden dat ladingdragers vrijwel zonder verstrooiing van source naar drain doorschieten?
  2. Welke transistor heeft source, kanaal en drain van hetzelfde geleidingstype en dezelfde concentratie, en heeft dus geen pn-junctie?
  3. Wat is het doel van een laag met hoge onzuiverheidsconcentratie aan de voet van de vin (het deel dat de gate moeilijk bestuurt) bij een FinFET op een bulksubstraat?
  4. Welke uitspraak over de 'schaallengte (natuurlijke lengte) λ', die wordt gebruikt om de sterkte van korte-kanaaleffecten te schatten, is juist?
  5. Welk effect heeft kwantumopsluiting wanneer de dikte van vinnen of nanosheets tot enkele nm wordt verdund?

Vergelijkingen bij dit onderwerp