Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welche Struktur verringert die Zellfläche, indem zwischen den Nanosheets von nMOS und pMOS eine dünne isolierende Wand eingefügt wird und diese näher zusammenrücken?

  1. AFD-SOI
  2. BPlanarer MOSFET
  3. CForksheet-FET
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Antwort: C. Forksheet-FET

Der Forksheet-FET ist eine Struktur, bei der die Nanosheets von nMOS und pMOS auf beiden Seiten einer dielektrischen Wand von etwa über zehn nm Dicke angeordnet sind und wie die Zinken einer Gabel aussehen. Beim normalen GAA ist zwischen n und p ein Abstand von einigen zehn nm nötig, durch die Trennwand lässt er sich stark verringern, und die Fläche von Standardzellen und SRAM kann kleiner werden. Der Unterschied zu GAA liegt darin, dass das Gate die Sheets von drei Seiten umschließt; er gilt als Kandidat für eine Generation zwischen GAA und CFET.

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  5. Welche Auswirkung des Quanteneinschlusses, der auftritt, wenn Finnen oder Nanosheets auf wenige nm gedünnt werden, ist richtig?

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