첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
FinFET(Intel은 Tri-Gate라고 불렀다)을 처음으로 양산 로직 제품에 채택한 기업과 세대의 조합으로 올바른 것은?
- AIntel의 22 nm 세대(2011~2012년경)
- BTSMC의 90 nm 세대(2004년경)
- C삼성전자의 2 nm 세대(2025년경)
정답과 해설 보기
정답: A. Intel의 22 nm 세대(2011~2012년경)
Intel은 22 nm 세대에서 FinFET(자사 명칭은 Tri-Gate)을 양산에 채택하여 2012년의 Ivy Bridge부터 제품에 탑재했습니다. 같은 성능에서 소비전력을 약 절반으로 할 수 있다고 발표했습니다. 그 후 TSMC와 삼성전자도 16/14 nm 세대에서 FinFET을 채택하여 평면형으로부터의 이행이 진행되었습니다. FinFET의 개념은 1999년 캘리포니아 대학 버클리 캠퍼스의 후정밍(Chenming Hu) 씨 등이 발표한 것입니다.
- A. 맞습니다. Intel이 22 nm 세대에서 처음으로 양산에 채택했습니다.
- B. 90 nm 세대는 평면형 트랜지스터의 시대입니다.
- C. 2 nm 세대에서는 GAA형으로의 이행이 진행되고 있습니다.