Comment appelle-t-on, en épitaxie du SiC, le phénomène par lequel plusieurs marches atomiques de surface se regroupent en grandes marches, rendant la surface rugueuse ?

Réponse : B. Regroupement de marches (step bunching)

Sur un substrat désorienté, le cristal croît le long des marches ; mais si les vitesses de croissance ou de gravure diffèrent d'une marche à l'autre, plusieurs marches se regroupent en grandes marches de quelques nm à quelques dizaines de nm. C'est le regroupement de marches (step bunching), dont la rugosité de surface dégrade les caractéristiques de l'interface MOS et la fiabilité de l'oxyde de grille. Pour le SiC, on le limite par les conditions de gravure à l'hydrogène avant croissance, le rapport C/Si ou la réduction de l'angle de désorientation.