Wie heißt das Phänomen beim epitaktischen Wachstum von SiC, bei dem sich mehrere atomare Stufen der Oberfläche zu großen Stufen zusammenlagern und die Oberfläche rau wird?

Antwort: B. Step Bunching

Bei Substraten mit Offcut-Winkel wächst der Kristall entlang der Stufen; unterscheiden sich Wachstums- oder Ätzgeschwindigkeit jedoch von Stufe zu Stufe, sammeln sich mehrere Stufen zu großen Stufen von einigen nm bis einigen zehn nm. Dies ist das Step Bunching; die Oberflächenrauheit verschlechtert die Eigenschaften der MOS-Grenzfläche und die Zuverlässigkeit des Gateoxids. Bei SiC wird es durch die Bedingungen der Wasserstoffätzung vor dem Wachstum, das C/Si-Verhältnis und einen kleineren Offcut-Winkel unterdrückt.