Français
Menu

Croissance épitaxiale

Lors de la croissance d'un semi-conducteur composé polaire comme le GaAs sur un substrat de silicium non polaire, comment appelle-t-on la frontière entre domaines où l'arrangement Ga/As est inversé ?

  1. AParoi d'antiphase (APB)
  2. BJoint de macle
  3. CJoint de grain
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Paroi d'antiphase (APB)

Lors de la croissance d'un composé polaire comme le GaAs sur du silicium non polaire, des domaines où les positions du Ga et de l'As sont permutées croissent de part et d'autre des marches monoatomiques de surface, et des parois d'antiphase (APB) apparaissent à leur frontière. Les APB comportent des liaisons incorrectes Ga-Ga ou As-As et constituent des défauts électriques. Les remèdes consistent à recuire un substrat désorienté pour obtenir des marches biatomiques, ou à faire croître dans des tranchées pour y confiner les APB.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Croissance épitaxiale

  1. Comment appelle-t-on, en épitaxie du SiC, le phénomène par lequel plusieurs marches atomiques de surface se regroupent en grandes marches, rendant la surface rugueuse ?
  2. Quelle est la définition de la croissance épitaxiale ?
  3. Quel est un exemple de croissance hétéroépitaxiale ?
  4. À quoi sert principalement la MOCVD (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) ?
  5. Quel problème survient facilement lorsque la différence de paramètre de maille entre le substrat et la couche (désaccord de maille) est importante ?