에피택셜 성장
SiC의 에피택셜 성장에서 표면의 원자 스텝이 여러 개 모여 큰 단차가 되어 표면이 거칠어지는 현상을 무엇이라고 하는가?
- A디싱
- B스텝 번칭
- C네킹
정답과 해설 보기
정답: B. 스텝 번칭
오프각을 준 기판에서는 스텝을 따라 결정이 성장하지만, 성장이나 식각 속도가 스텝마다 다르면 여러 스텝이 모여 수 nm~수십 nm의 큰 단차가 됩니다. 이것이 스텝 번칭이며, 표면의 요철이 MOS 계면 특성과 게이트 산화막의 신뢰성을 악화시킵니다. SiC에서는 성장 전 수소 식각 조건, C/Si비, 오프각을 작게 하는 것 등으로 억제합니다.
- A. 디싱은 CMP에서 배선의 중앙이 움푹 파이는 현상입니다.
- B. 맞습니다. 스텝이 모여 큰 단차가 되는 현상입니다.
- C. 네킹은 단결정 인상에서 결정을 가늘게 조이는 공정입니다.