Croissance épitaxiale
Dans une structure épitaxiale pour HEMT GaN, quel est l'objectif principal de l'ajout de carbone ou de fer dans la couche tampon GaN sous le canal ?
- ALa faire émettre de la lumière
- BRendre la couche tampon très résistive pour limiter le courant de fuite à l'état bloqué et les effets de canal court
- CRendre la couche tampon peu résistive pour faciliter le passage du courant
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Réponse : B. Rendre la couche tampon très résistive pour limiter le courant de fuite à l'état bloqué et les effets de canal court
Le GaN tend à être de type n à cause de donneurs comme l'oxygène ou le silicium incorporés involontairement pendant la croissance ; si le courant circule dans la couche tampon, la grille l'arrête difficilement et les fuites augmentent à haute tension. L'ajout de carbone ou de fer fait piéger les électrons par des niveaux profonds et rend la couche tampon très résistive. Cependant, tant que les charges piégées ne sont pas libérées, le 2DEG diminue et le courant baisse temporairement (effondrement de courant, current collapse) ; l'ajustement de la quantité et de la position des dopants est donc important.