Croissance épitaxiale

Quelle technique au stade de la recherche fait croître un cristal sur un substrat recouvert d'un matériau 2D comme le graphène, de sorte que la couche crûe puisse être décollée et le substrat réutilisé ?

  1. AÉpitaxie à distance (remote epitaxy)
  2. BDiffusion thermique
  3. CSoudure anodique
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Épitaxie à distance (remote epitaxy)

En épitaxie à distance, le substrat est recouvert de 1 à 2 couches atomiques de graphène ou analogue, sur lesquelles on fait croître le cristal. Le graphène étant suffisamment mince, le potentiel des atomes du substrat le traverse et transmet l'information cristalline, d'où un monocristal ; mais la couche n'étant pas liée chimiquement au substrat, elle se décolle facilement, par exemple avec un ruban adhésif, et le substrat peut être réutilisé. On en attend la réutilisation de substrats coûteux en GaAs ou SiC et des applications aux dispositifs flexibles.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Croissance épitaxiale

  1. Dans une structure épitaxiale pour HEMT GaN, quel est l'objectif principal de l'ajout de carbone ou de fer dans la couche tampon GaN sous le canal ?
  2. Lors de la croissance d'un semi-conducteur composé polaire comme le GaAs sur un substrat de silicium non polaire, comment appelle-t-on la frontière entre domaines où l'arrangement Ga/As est inversé ?
  3. Comment appelle-t-on, en épitaxie du SiC, le phénomène par lequel plusieurs marches atomiques de surface se regroupent en grandes marches, rendant la surface rugueuse ?
  4. Quelle est la définition de la croissance épitaxiale ?
  5. Quel est un exemple de croissance hétéroépitaxiale ?