에피택셜 성장

LSI나 파워 디바이스용 실리콘 에피 웨이퍼에서 에피택셜층 두께의 일반적인 범위는?

  1. A수 nm 정도
  2. B수 µm~수십 µm 정도
  3. C수 mm 정도
정답과 해설 보기

정답: B. 수 µm~수십 µm 정도

로직이나 이미지 센서용 에피층은 수 µm 정도이고, 고내압 파워 디바이스용은 내압에 따라 두꺼워져 Si의 600 V급에서 수십 µm, SiC의 10 kV급에서는 100 µm를 넘기도 합니다. 두께 약 775 µm인 웨이퍼 본체에 비하면 매우 얇은 층입니다. 한편 HBT의 베이스나 양자 우물 같은 화합물 에피층은 수 nm~수십 nm로, 용도에 따라 두께의 폭은 4자릿수 이상이 되기도 합니다.

  • A. 수 nm는 양자 우물 등 극박층의 두께입니다.
  • B. 맞습니다. 수 µm~수십 µm가 일반적입니다.
  • C. 수 mm는 웨이퍼 본체보다도 두꺼워 에피층의 두께가 아닙니다.
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