Pourquoi les procédés CMOS avancés exigent-ils d'abaisser la température de croissance épitaxiale du silicium et du SiGe ?

Réponse : C. Pour limiter la diffusion des dopants et la déformation des structures déjà formées (contrainte de budget thermique)

Les structures fines des transistors et les profils de dopants abrupts se dégradent par diffusion des dopants lorsqu'ils sont exposés à de hautes températures. De plus, la contrainte du SiGe peut se relaxer et les couches de nanofeuillets s'interdiffuser. L'épitaxie des sources/drains, réalisée en fin de procédé, doit donc se faire à basse température, environ 600 à 700 ℃ ou moins. La quantité de chaleur admissible sur l'ensemble du procédé est appelée budget thermique.