Epitaxie

Was ist der Hauptgrund dafür, beim epitaktischen Wachstum von SiC Substrate zu verwenden, die um einige Grad gegen die Kristallachse geneigt sind (mit Offcut-Winkel)?

  1. ADamit das Wachstum von den atomaren Stufen der Oberfläche seitlich erfolgt (Step-Flow-Wachstum) und der Polytyp des Substrats fortgesetzt wird
  2. BUm das Substrat billiger zu machen
  3. CUm die Wachstumsrate auf 0 zu setzen
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Antwort: A. Damit das Wachstum von den atomaren Stufen der Oberfläche seitlich erfolgt (Step-Flow-Wachstum) und der Polytyp des Substrats fortgesetzt wird

SiC hat viele Kristallpolytypen mit unterschiedlicher Stapelfolge der Atome, und beim Wachstum auf einer ebenen Fläche mischen sich leicht andere Polytypen (z. B. 3C-SiC) ein. Bei Substraten mit einem Offcut-Winkel von etwa 4° gibt es auf der Oberfläche viele atomare Stufen, und die Ausgangsstoffe werden an den Stufen eingebaut, sodass das Wachstum seitlich fortschreitet (Step-Flow-Wachstum); es entsteht ein Kristall, der die Stapelfolge des 4H-SiC des Substrats fortsetzt.

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