Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Welke combinatie van bronnen wordt bijvoorbeeld gebruikt bij het afzetten van een HfO2-gate-isolatielaag met ALD?

  1. ASilaan en ammoniak
  2. BWolfraamhexafluoride en waterstof
  3. CHafniumtetrachloride (HfCl4) of een organische hafniumverbinding, met een oxidant zoals water of ozon
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Hafniumtetrachloride (HfCl4) of een organische hafniumverbinding, met een oxidant zoals water of ozon

Bij ALD van HfO2 worden afwisselend een hafniumbron zoals HfCl4 of TEMAHf (een organische hafniumverbinding) en een oxidant zoals H2O of O3 toegevoerd en wordt laag voor laag afgezet door oppervlaktereacties. HfCl4 is thermisch stabiel bij circa 300 °C maar laat gemakkelijk chloor in de laag achter, en TEMAHf reageert gemakkelijk bij lage temperatuur maar laat gemakkelijk koolstof achter; zo verschillen depositietemperatuur en onzuiverheden per bron, wat de drempelspanning en betrouwbaarheid van de gate beïnvloedt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welk model beschrijft, afhankelijk van temperatuur en gasdruk, dat een door sputteren afgezette metaallaag bij lage depositietemperatuur gemakkelijk een structuur van kolomvormige korrels met veel tussenruimten krijgt?
  2. Hoe heet bij CVD het verschijnsel dat bij wafers of patronen met een groter te bedekken oppervlak meer bronmateriaal wordt verbruikt en de depositiesnelheid daalt?
  3. Hoe heet het verschijnsel bij reactief sputteren dat, als de stroom van reactiegas te veel wordt verhoogd, het oppervlak van het target met een verbinding wordt bedekt en de depositiesnelheid plotseling daalt?
  4. Welke methode wordt gebruikt om de spanning van plasma-CVD-siliciumnitride af te stellen van drukspanning tot trekspanning?
  5. In welke categorie valt het afzetten van lagen door sputteren?

Vergelijkingen bij dit onderwerp