HfO2 게이트 절연막을 ALD로 성막할 때 사용되는 원료 조합의 예로 올바른 것은?

정답: C. 사염화하프늄(HfCl4)이나 유기 하프늄 화합물과, 물이나 오존 등의 산화제

HfO2의 ALD에서는 HfCl4나 TEMAHf(유기 하프늄 화합물) 등의 하프늄 원료와 H2O나 O3 등의 산화제를 번갈아 공급하여 표면 반응으로 한 층씩 성막합니다. HfCl4는 막 속에 염소가 남기 쉽지만 열적으로 안정하여 300 ℃ 전후에서 사용하고, TEMAHf는 저온에서 반응하기 쉬운 대신 탄소가 남기 쉬운 등, 원료에 따라 성막 온도나 불순물이 달라져 게이트의 문턱 전압과 신뢰성에 영향을 줍니다.