Prozessmaterialien (Gase, Chemikalien)

Welches Gas wird mitunter als Oxidationsmittel verwendet, wenn mit Silan per CVD Siliziumoxid- oder Oxynitridfilme erzeugt werden?

  1. AArgon (Ar)
  2. BHelium (He)
  3. CDistickstoffmonoxid (N2O)
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Antwort: C. Distickstoffmonoxid (N2O)

Distickstoffmonoxid (N2O) wird bei Plasma-CVD als Oxidationsmittel verwendet, das mit Silan zu Siliziumoxidfilm reagiert, wobei bei niedriger Temperatur von etwa 300 bis 400 ℃ abgeschieden werden kann. Da es milder als Sauerstoff reagiert, entstehen in der Gasphase kaum Partikel, und je nach Bedingungen lassen sich auch Oxynitridfilme (SiON) mit eingebautem Stickstoff herstellen. Oxynitridfilme, deren Brechungsindex einstellbar ist, werden auch als Antireflexschichten bei der Belichtung verwendet. Argon und Helium sind Inertgase.

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