Prozessmaterialien (Gase, Chemikalien)

Welches Gas dient beim epitaktischen Wachstum von SiGe als Ausgangsstoff für Germanium?

  1. AAmmoniak (NH3)
  2. BGerman (GeH4)
  3. CArsin (AsH3)
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Antwort: B. German (GeH4)

Beim Wachstum von SiGe wird neben dem Ausgangsstoff für Silizium (Silan, Dichlorsilan usw.) German (GeH4) als Ausgangsstoff für Germanium zugeführt, und die Ge-Zusammensetzung wird über das Durchflussverhältnis gesteuert. Bei Source/Drain des pMOS wird gleichzeitig Diboran zugeführt, um SiGe mit hohem Borgehalt aufwachsen zu lassen und im Kanal Druckspannung zu erzeugen. Ammoniak ist ein Ausgangsstoff für Stickstoff, Arsin für Arsen.

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