Oxidation und Diffusion
Wo schreitet die thermische Oxidation nach dem Deal-Grove-Modell voran?
- AGanz an der Oberfläche des Oxidfilms, wo Siliziumatome und Oxidationsmittel reagieren
- BSiliziumatome diffundieren bis zur Oberfläche des Oxidfilms und reagieren dort
- CDas Oxidationsmittel diffundiert durch den Oxidfilm und reagiert an der Si/SiO2-Grenzfläche mit dem Silizium
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Antwort: C. Das Oxidationsmittel diffundiert durch den Oxidfilm und reagiert an der Si/SiO2-Grenzfläche mit dem Silizium
Im Deal-Grove-Modell (1965) nimmt der Oxidfilm das Oxidationsmittel aus der Gasphase an seiner Oberfläche auf, es diffundiert durch den Film und reagiert an der Grenzfläche zum Silizium, wobei neues Oxid entsteht. Der Oxidfilm wächst daher auf der Grenzflächenseite, und die Grenzfläche ist stets eine neue Fläche. Je dicker der Film, desto länger der Diffusionsweg und desto langsamer das Wachstum. Indem die Flüsse dieser drei Schritte gleichgesetzt werden, lassen sich lineares und parabolisches Gesetz in einer einzigen Gleichung ausdrücken.