Messtechnik und Analytik

Welche Methode zur Messung von Waferverbiegung (Bow/Warp) und Ebenheit ist richtig?

  1. ABerührungslose Formmessung mit Lichtinterferometern oder kapazitiven Sensoren
  2. BMassenspektrometrie mit SIMS
  3. CElementanalyse mit EDX
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Antwort: A. Berührungslose Formmessung mit Lichtinterferometern oder kapazitiven Sensoren

Die Waferform wird berührungslos mit Messgeräten gemessen, die Lichtinterferenz nutzen, oder mit Sensoren, die den Abstand der beiden Waferseiten kapazitiv erfassen. Die Verbiegung (Bow/Warp) beeinflusst Transport und Ansaugen, die lokale Ebenheit, ob sie innerhalb der Schärfentiefe der Belichtung liegt; beides wird bei der Wareneingangsprüfung der Wafer und der Bewertung nach der Schichtabscheidung kontrolliert. SIMS ist ein Verfahren der Massenspektrometrie, EDX der Elementanalyse.

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