Warum sind in EUV-Masken im Inneren des Vielschichtspiegels vergrabene Defekte ein Problem?

Antwort: B. Weil Phase und Intensität des reflektierten Lichts gestört werden und dies als Strukturdefekt auf den Wafer übertragen wird

Gibt es im oder unter dem Vielschichtspiegel einer EUV-Maske Unebenheiten oder Fremdkörper von wenigen nm, wird der darüber aufgebaute Stapel aus Dutzenden Lagen gestört, und Phase und Intensität des reflektierten Lichts ändern sich. Schon Störungen von nur wenigen nm Höhe werden auf den Wafer übertragen und werden zu Defekten. Da sie von der Oberfläche schwer zu finden sind, wurden spezielle Inspektionsanlagen mit EUV-Licht (aktinische Inspektion) entwickelt, und es wird auch das Absorbermuster so verschoben platziert, dass es den Defektstellen ausweicht.