Lithografie
Welche Aussage zu chemisch verstärkten Resists ist richtig?
- ASie lösen sich bei der Entwicklung auch ohne Belichtung auf
- BSie reagieren nicht durch Licht, sondern allein durch Wärme
- CDie bei der Belichtung entstehende Säure wirkt beim Post-Exposure-Bake (PEB) als Katalysator und lässt die Reaktion mit geringer Belichtungsdosis fortschreiten
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Antwort: C. Die bei der Belichtung entstehende Säure wirkt beim Post-Exposure-Bake (PEB) als Katalysator und lässt die Reaktion mit geringer Belichtungsdosis fortschreiten
Bei chemisch verstärkten Resists entsteht bei der Belichtung aus dem Photosäurebildner Säure, die beim Erhitzen nach der Belichtung (PEB, etwa 90 bis 130 ℃) als Katalysator dutzende bis hunderte Male die Abspaltung von Schutzgruppen des Harzes bewirkt. Da ein einziges Photon viele Reaktionen auslöst, ist die Empfindlichkeit sehr hoch, was für KrF, ArF und EUV mit schwacher Lichtquelle erforderlich war. Entwickelt wurde dies in den 1980er-Jahren bei IBM. Diffundiert die Säure zu weit, wird das Bild unscharf, daher werden Temperatur und Zeit des PEB streng kontrolliert.