Welcher Bereich kommt dem Dosisbereich der in der LSI-Fertigung verwendeten Ionenimplantation am nächsten?

Antwort: B. ca. 10¹¹ bis 10¹⁶ cm⁻²

Für die Einstellung der Schwellenspannung u. Ä. werden etwa 10¹¹ bis 10¹³ cm⁻², für den niedrigen Widerstand von Source/Drain und Gate um 10¹⁵ cm⁻² und für Wasserstoff beim Smart Cut 10¹⁶ cm⁻² und mehr verwendet, insgesamt also ein weiter Bereich von mehr als fünf Größenordnungen. Bei einer Implantation von 10¹² cm⁻² gelangen zwar 1 Billion Ionen auf 1 cm², das ist aber nur etwa ein Tausendstel der Zahl der Oberflächenatome. Eine Stärke der Ionenimplantation ist, diesen weiten Bereich mit einer Genauigkeit von etwa ±1 % steuern zu können.