Welche Technik, mit der dünne Finnen für FinFETs hergestellt werden, nutzt Seitenwand-Spacer, um feinere Muster als die Lithografiegrenze zu erzeugen?

Antwort: A. SADP/SAQP (selbstjustiertes Double/Quadruple Patterning)

Beim SADP wird an der Seitenwand eines Kernmusters per ALD o. Ä. eine gleichmäßige Schicht aufgebracht und so ein Spacer gebildet; wird der Kern entfernt, entstehen Linien mit doppelter Dichte. SAQP wiederholt dies zweimal und erreicht die vierfache Dichte. Da die Linienbreite durch die Schichtdicke statt durch die Belichtung bestimmt wird, ist die Streuung gering, und es lassen sich Finnen und Leitungen formen, die feiner sind als die Grenze der ArF-Immersionsbelichtung (Pitch etwa 80 nm). Auch bei EUV-Belichtung wird es beim feinsten Pitch kombiniert eingesetzt.