Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welcher Entwurfsvorteil von Nanosheet-GAA-Transistoren gegenüber dem FinFET ist richtig?

  1. ADie Kanalbreite lässt sich nur über die Zahl der Finnen ändern
  2. BDurch Ändern der Nanosheet-Breite lässt sich der Ansteuerstrom flexibler einstellen
  3. CDie Gate-Länge hat keinen Einfluss auf die Transistoreigenschaften
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Antwort: B. Durch Ändern der Nanosheet-Breite lässt sich der Ansteuerstrom flexibler einstellen

Beim FinFET lässt sich die Kanalbreite nur über die Zahl der Finnen einstellen, beim Nanosheet-GAA kann dagegen die Breite der gestapelten Sheets (z. B. 15 bis 50 nm) im Layout kontinuierlich variiert werden. Sheets können für leistungsstarke Zellen breit und für Low-Power-Zellen oder SRAM schmal gewählt werden, sodass Ansteuerstrom und Kapazität flexibel entworfen werden können. Durch das umschließende Gate ist er zudem gegen Kurzkanaleffekte widerstandsfähig und liefert bei gleicher Fläche einen größeren Strom als der FinFET.

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