Ätzen

Welches allgemeine Merkmal des Nassätzens ist richtig?

  1. AWegen des Einsatzes von Plasma ist die Anisotropie hoch
  2. BEs verläuft im Allgemeinen isotrop und unterätzt leicht auch die Maske
  3. CEine Vakuumanlage ist zwingend erforderlich
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Antwort: B. Es verläuft im Allgemeinen isotrop und unterätzt leicht auch die Maske

Beim Nassätzen wird die Schicht durch eine chemische Reaktion mit einer Chemikalie aufgelöst; es schreitet daher im Allgemeinen in alle Richtungen gleich voran (isotrop) und unterätzt die Maske etwa um die Schichtdicke (Unterätzung, Side Etch). Vorteile sind die einfache Anlage, die gleichzeitige Bearbeitung vieler Wafer und die leicht erreichbare hohe Selektivität aufgrund der chemischen Reaktion. Für feine Strukturen wird Trockenätzen verwendet, doch zum ganzflächigen Entfernen von Schichten und für die Reinigung bleibt es wichtig.

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