Welcher Wert kommt der üblichen Wachstumstemperatur beim epitaktischen Wachstum von Silizium mit Trichlorsilan am nächsten?

Antwort: B. etwa 1100 °C

Das epitaktische Wachstum von Silizium mit Trichlorsilan erfolgt üblicherweise bei etwa 1100 bis 1150 °C; die Wachstumsrate beträgt mehrere µm pro Minute, sodass sich das Verfahren zur Herstellung dicker Epischichten eignet. Mit Dichlorsilan ist Wachstum bei etwa 1000 bis 1100 °C, mit Silan sogar bei niedrigen Temperaturen von etwa 600 bis 900 °C möglich; in modernen Prozessen mit strengem Thermalbudget werden diese verwendet. 2000 °C liegt über dem Schmelzpunkt von Silizium (etwa 1414 °C).