Epitaxie

Was ist ein Vorteil des epitaktischen Wachstums von Silizium bei reduziertem Druck?

  1. AAutodoping lässt sich leichter unterdrücken
  2. BDie Wachstumsrate steigt immer
  3. CDie Wachstumstemperatur kann über 2000 °C liegen
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Antwort: A. Autodoping lässt sich leichter unterdrücken

Beim epitaktischen Wachstum bei reduziertem Druck (einige kPa bis einige zehn kPa) diffundieren Gase schneller, und vom Substrat verdampfte Dotierstoffe verbleiben kaum in der Grenzschicht nahe der Wachstumsfläche, sodass sich Autodoping unterdrücken lässt. Die Grenzschicht wird dünner und das Gas verteilt sich gleichmäßig, wodurch die Schichtdickengleichmäßigkeit tendenziell besser wird und selektives Wachstum erleichtert wird. Andererseits ist die Wachstumsrate tendenziell geringer als bei Normaldruck; je nach Anwendung wird daher gewählt.

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