DRAM
Welche Aussage beschreibt den Unterschied zwischen 3D-DRAM und HBM richtig?
- A3D-DRAM stapelt die Speicherzellen selbst vertikal innerhalb eines Chips, HBM stapelt fertige DRAM-Chips mit TSV
- B3D-DRAM und HBM sind zwei Namen für dieselbe Technik
- CHBM stapelt Speicherzellen vertikal innerhalb eines Chips, 3D-DRAM ordnet DRAM-Chips nebeneinander an
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Antwort: A. 3D-DRAM stapelt die Speicherzellen selbst vertikal innerhalb eines Chips, HBM stapelt fertige DRAM-Chips mit TSV
HBM stapelt mehrere fertige DRAM-Chips, die über TSV miteinander verbunden sind, und platziert sie nahe am Prozessor, um eine hohe Bandbreite zu erreichen; es handelt sich um eine Chipstapelung. 3D-DRAM dagegen stapelt wie 3D-NAND Lagen von Speicherzellen vertikal innerhalb eines einzigen Chips, um die Kapazität zu erhöhen, ohne sich nur auf die planare Verkleinerung zu verlassen. Mitte der 2020er-Jahre befindet sich 3D-DRAM im Stadium der Forschung und Entwicklung.