Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welcher Richtwert für die pro ALD-Zyklus abgeschiedene Schichtdicke ist richtig?

  1. Aetwa 1 µm
  2. Betwa 0,1 nm (höchstens etwa eine Atomlage)
  3. Cetwa 100 nm
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. etwa 0,1 nm (höchstens etwa eine Atomlage)

Bei der ALD wird pro Zyklus höchstens etwa eine Atomlage, also ungefähr 0,1 nm, abgeschieden; bei großen Präkursormolekülen wird die Oberfläche nicht vollständig bedeckt, sodass es auch weniger als eine Lage sein kann. Ein Zyklus dauert einige Sekunden bis einige zehn Sekunden, weshalb selbst für Schichten von wenigen nm einige zehn Zyklen und einige Minuten bis einige zehn Minuten nötig sind. Zum Ausgleich werden Batch-ALD-Anlagen mit gleichzeitiger Verarbeitung mehrerer Wafer und räumlich getrennte ALD, bei der der Wafer rotierend durch Gasbereiche läuft, eingesetzt.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Schichtabscheidung (CVD, PVD)

  1. Welche Aussage zum Vorteil des Vakuumaufdampfens mit Erhitzung des Materials durch einen Elektronenstrahl ist richtig?
  2. Welche Technik lässt eine Schicht nur an bestimmten Stellen aufwachsen, indem sie Unterschiede der Oberflächenmaterialien nutzt?
  3. Welcher Wert gibt die Dicke der in der Halbleiterfertigung verwendeten Dünnschichten am besten an?
  4. Welche Aussage zum grundlegenden Aufbau des LSI-Fertigungsprozesses ist richtig?
  5. Was ist der Hauptgrund dafür, viele Abscheidungen in Vakuumanlagen durchzuführen?

Vergleiche zu diesem Thema