CMP und Reinigung

Welcher Vorteil von CMP gegenüber Planarisierung durch thermisches Reflow oder Etch-back ist richtig?

  1. AEs ist stets kostengünstiger
  2. BEs entsteht überhaupt kein Polierabrieb
  3. CEs ermöglicht eine Planarisierung über große Bereiche des gesamten Wafers (globale Planarisierung)
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Antwort: C. Es ermöglicht eine Planarisierung über große Bereiche des gesamten Wafers (globale Planarisierung)

Mit thermischem Reflow von BPSG oder Etch-back mit Resist lassen sich lokale Stufen zwar abflachen, eine Planarisierung über Bereiche von einigen mm bis einigen cm ist aber schwierig. Da CMP mit einem harten Pad bevorzugt erhabene Stellen abträgt, ergibt sich über den ganzen Chip und den gesamten Wafer eine hohe Planarität (globale Planarisierung). Dadurch lässt sich die Oberfläche innerhalb der Schärfentiefe der Belichtung halten, was Mehrlagenverdrahtung mit mehr als 10 Lagen und Kupferverdrahtung ermöglichte.

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