シリコンウエハ
シリコン結晶中の転位や積層欠陥などを光学顕微鏡で観察できるようにするため、欠陥の部分を選択的に浅くエッチングする方法はどれか。
- A反応性イオンエッチング
- B選択エッチング(セッコエッチングなど)
- C犠牲層エッチング
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正解:B. 選択エッチング(セッコエッチングなど)
選択エッチングでは、欠陥の周りのひずんだ部分が周囲より速くエッチングされる薬液(セッコ液、ライト液など)を使い、欠陥をピット(くぼみ)として浮かび上がらせます。これを光学顕微鏡で数えることで、結晶欠陥の密度を評価します。
- A. 反応性イオンエッチングはパターンを加工するためのドライエッチングです。
- B. 正しい。欠陥を選択的にエッチングして見えるようにします。
- C. 犠牲層エッチングはMEMSで構造を浮かせるための工程です。