실리콘 웨이퍼

실리콘 결정 중의 전위나 적층 결함 등을 광학 현미경으로 관찰할 수 있도록 결함 부분을 선택적으로 얕게 식각하는 방법은 무엇인가?

  1. A반응성 이온 식각
  2. B선택 식각(세코 식각 등)
  3. C희생층 식각
정답과 해설 보기

정답: B. 선택 식각(세코 식각 등)

선택 식각에서는 결함 주위의 변형된 부분이 주변보다 빨리 식각되는 약액(크롬산계의 세코액, 라이트액, 크롬을 쓰지 않는 액 등)을 사용하여 결함을 피트(오목한 자국)로 드러냅니다. 피트의 모양으로 결함의 종류를, 개수로 밀도를 평가합니다. 결정 품질 관리의 기본적인 수법이지만 파괴 검사이며, 환경 부하가 적은 약액으로의 교체도 진행되고 있습니다.

  • A. 반응성 이온 식각은 패턴을 가공하기 위한 건식 식각입니다.
  • B. 옳습니다. 결함을 선택적으로 식각하여 보이게 합니다.
  • C. 희생층 식각은 MEMS에서 구조체를 띄우기 위한 공정입니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

실리콘 웨이퍼의 다른 문제

  1. CZ 결정에서 결정 성장 계면의 온도 변동 등으로 생기는 도펀트나 산소 농도의 주기적인 줄무늬 모양 변화를 무엇이라 부르는가?
  2. 실리콘 단결정이 가장 깨지기 쉬운(벽개하기 쉬운) 결정면은 무엇인가?
  3. LSI용 단결정 실리콘 제조에 가장 널리 쓰이는 방법은 무엇인가?
  4. 현재 최첨단 로직과 메모리의 양산 라인에서 주류가 된 웨이퍼의 직경은 무엇인가?
  5. FZ법(플로팅 존법)으로 제작한 실리콘 단결정의 특징으로 올바른 것은?

이 분야의 비교