可用比單矽烷（SiH4）更低的溫度沉積矽膜的原料氣體為下列何者？

正確答案：A. 乙矽烷（Si2H6）

乙矽烷（Si2H6）具有比單矽烷更易斷裂的Si-Si鍵，因此容易分解，可在更低的溫度沉積矽系薄膜。在低溫磊晶成長中，可抑制雜質擴散並形成陡峭的濃度分布，因此備受重視。也有使用更容易分解的丙矽烷（Si3H8）的情況。CF4是蝕刻氣體，氮是惰性氣體，都不能作為矽的原料。

• A. 正確。比單矽烷更容易分解，可在低溫成膜。
• B. CF4是用於蝕刻等的氣體，不是矽的原料。
• C. 氮不含矽，不能作為原料。