반도체 물리

다음 재료 중 밴드갭이 가장 큰 것은?

  1. A실리콘(Si)
  2. B게르마늄(Ge)
  3. C이산화규소(SiO2)
정답과 해설 보기

정답: C. 이산화규소(SiO2)

SiO2의 밴드갭은 약 9 eV로 매우 크며 우수한 절연체입니다. 실리콘(약 1.12 eV), 게르마늄(약 0.66 eV)과는 자릿수가 다릅니다. 갭이 클 뿐만 아니라 실리콘 쪽과의 전도대 어긋남(약 3.1 eV)도 크기 때문에, 전자가 게이트 절연막을 넘기 어렵습니다. High-k 재료(HfO2는 약 5.8 eV)는 유전율이 높은 대신 갭이 작아서, 누설 전류와의 균형을 고려해 선택됩니다.

  • A. 실리콘은 약 1.12 eV로 SiO2보다 훨씬 작은 값입니다.
  • B. 게르마늄은 약 0.66 eV로 세 가지 중 가장 작은 값입니다.
  • C. 올바릅니다. SiO2는 약 9 eV의 큰 밴드갭을 가진 절연체입니다.
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