반도체 물리

전자 밀도 1×10¹⁶ cm⁻³, 전자 이동도 1000 cm²/V·s인 n형 실리콘의 저항률은 대략 얼마인가? (정공의 기여는 무시, 기본 전하 1.6×10⁻¹⁹ C)

  1. A약 0.06 Ω·cm
  2. B약 0.6 Ω·cm
  3. C약 60 Ω·cm
정답과 해설 보기

정답: B. 약 0.6 Ω·cm

전도율은 σ = qnμ = 1.6×10⁻¹⁹ × 1×10¹⁶ × 1000 = 1.6 S/cm이고, 저항률은 그 역수인 ρ ≈ 0.63 Ω·cm입니다. 「ρ ≈ 1/(qnμ)」는 웨이퍼의 저항률로부터 도펀트 농도를 추정하는 기본식입니다. 실무에서는 이동도의 농도 의존성을 포함한 환산표(ASTM 규격 등)를 사용하며, 예를 들어 1~10 Ω·cm의 p형 웨이퍼는 붕소 약 10¹⁵ cm⁻³대에 해당합니다.

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