氧化與擴散

SiO2 膜可用作硼或磷擴散的遮罩,卻難以作為鎵或鋁的遮罩,其原因何者正確?

  1. A因為 SiO2 與鎵或鋁反應而變成導體
  2. B因為鎵或鋁在 SiO2 中的擴散非常快
  3. C因為鎵或鋁在矽中電性不活化
查看答案與解析

正確答案:B. 因為鎵或鋁在 SiO2 中的擴散非常快

硼和磷在 SiO2 中的擴散比在矽中慢得多,因此能被氧化層阻擋。另一方面,鎵和鋁會在 SiO2 中快速擴散,因此不適合以氧化層為遮罩進行選擇性擴散。鋁的固溶度也低,且在深處的擴散很快,所以有時用於功率元件的深接面。這也是矽的 p 型雜質主要使用硼的原因之一。

  • A. 並不是反應後變成導體。
  • B. 正確。因為在 SiO2 中擴散快,所以無法阻擋。
  • C. 鎵和鋁在矽中也作為受體而作用。
練習這個領域 前往領域頁面

氧化與擴散的其他題目

  1. 在雜質濃度遠高於本質載子密度的區域,關於砷等的擴散係數隨濃度改變的現象,下列說明何者正確?
  2. 將含有大量雜質的多晶矽(polysilicon)熱氧化時,下列特徵何者正確?
  3. 關於矽的熱氧化,下列對乾式氧化(O2)與濕式氧化(H2O)的比較,何者正確?
  4. 將矽熱氧化形成厚度為 x 的 SiO2 薄膜時,被消耗的矽厚度約為多少?
  5. 關於矽中雜質的擴散係數與溫度的關係,下列何者正確?